GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
公司已于2018年7月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发；已于2018年6月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已于2019年9月达到投产条件，正式投产。作为公司GaN业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界前言团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。
天数智芯称，BI芯片以同类产品1/2的芯片面积、更低的功耗，提供主流厂商产品近2倍的性能，结合全自研的全套软件栈在软硬件层面兼容业界主流生态，从而提供灵活的编程能力、强大的计算能力、富有吸引力的性价比并帮助客户实现无痛迁移，是安全的国产芯片解决方案。
更可喜的是，BI芯片、产品卡均以实体形式发布，即将批量生产和商用交付，产品开发和商业应用进度居于国内同行前列1-2年时间。
作为天数智芯的第一行款旗舰产品，BI是国内一款全自研、真正基于通用GPU架构的GPGPU云端高端训练芯片，2018年启动研发，今年1月初刚刚点亮。
它采用台积电7nm FinFET制造工艺、2.5D CoWoS封装技术，搭配台积电65nm工艺的自研Interposer(中介层)，集成多达240亿个晶体管，整合32GB HBM2内存、存储带宽达1.2TB，支持FP32、FP/BF16、INT32/16/8等多精度数据混合训练，系统接口PCIe 4.0 x16。
其中，FP32性能37TFlops(万亿次计算每秒)，FP16/BF16性能147TFlops，INT32性能37Tops、INT16性能147Tops，INT8性能295Tops，实测数据基本符合设计规划。
同期发布的产品卡被动散热，整卡功耗300W，8针辅助供电，最大电流60A，也支持OEM定制。
BI芯片具备高性能、通用性、灵活性，支持国内外主流GPGPU生态和多种主流深度学习框架，通过标准化的软硬件生态接口，为应用行业解决产品使用难、开发平台迁移成本大等操作层面的实际痛点。
