目前，京东物流、白犀牛的无人车已接入达达无人配送开放平台，并服务于七鲜超市、永辉超市，配送范围覆盖10余个小区，已完成无人配送订单量约5000单，自动驾驶里程超1万公里。
据达达快送无人配送项目负责人介绍，除了社区、写字楼等场景中已经实现无人配送的落地，未来随着无人车大规模应用和硬件成本降低，以及路权逐步开放，达达将持续拓展无人配送在更多即时配送场景中的应用，并不断迭代、升级开放平台能力，为末端配送提供效率高、体验优、性价比合理的整体解决方案。
在当天大会上，英特尔公布了未来制程技术路线图，同时介绍了下一代极紫外光刻(EUV)技术的使用计划。根据进展，英特尔有望得获得业内第一台High-NA EUV光刻机。而在客户上，基辛格透露已与AWS签约，该公司将成为第一个使用英特尔代工服务(IFS)封装解决方案的客户。同时，高通也将采用Intel 20A制程工艺技术，这一技术预计将在2024年推出。
在发布会上，英特尔公布了未来5年的技术路线图，对芯片的制程工艺进行了新的命名，10纳米Enhanced SuperFin更名为“Intel 7”、Intel 7纳米更名为“Intel 4”、其后是“Intel 3”、下一代将是“Intel 20A”、“Intel 18A”。
此外，基辛格表示，预计在今年年底前宣布在欧洲以及美国的进一步工厂布局。“这将是一笔足以支持大型晶圆厂的巨额投资，虽然我们自己已在推进其中的一些投资项目，但同时欢迎美国和欧盟的政策制定者能够以紧迫感采取行动，加快我们和集成电路产业其他公司的项目进展。”
采集：高精度地图采集员驾驶采集车以60-80km/H的速度行驶，每天至少采集150公里的高精度地图数据，数据量TB级每天。
自动融合、识别：这一环节是把不同传感器采集的数据进行融合，即把GPS、点云、图像等数据叠加在一起，进行道路标线、路沿、路牌、交通标志等道路元素的识别。
英特尔公司CEO帕特·基辛格在以“英特尔加速创新”为主题的全球线上发布会中表示：“基于英特尔在先进封装领域毋庸置疑的前沿性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到 2025 年制程性能再度居于业界前列。英特尔正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。”
业界早就意识到，从1997年开始，基于纳米的传统制程节点命名方法，不再与晶体管实际的栅极长度相对应。如今，英特尔为其制程节点引入了全新的命名体系，创建了一个清晰、一致的框架，帮助客户对整个行业的制程节点演进建立一个更准确的认知。随着英特尔代工服务(IFS)的推出，让客户清晰了解情况比以往任何时候都显得更加重要。基辛格说：“今天公布的创新技术不仅有助于英特尔规划产品路线图，同时对我们的代工服务客户也至关重要。业界对英特尔代工服务(IFS)有强烈的兴趣，今天我很高兴我们宣布了首次合作的两位重要客户。英特尔代工服务已扬帆起航！”
基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7 工艺，之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产。
Intel 4完全采用EUV光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约 20% 的提升以及芯片面积的改进，Intel 4将在 2022 年下半年投产，并于 2023 年出货，这些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。
Intel 3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。
Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET 是英特尔对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia 是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上，与高通公司进行合作。
2025年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。
英特尔高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示：“英特尔有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们促进了从90纳米应变硅向45纳米高K金属栅极的过渡，并在22纳米时率先引入FinFET。凭借RibbonFET 和 PowerVia两大开创性技术，Intel 20A 将成为制程技术的另一个分水岭。”
随着英特尔全新IDM 2.0战略的实施，封装对于实现摩尔定律的益处变得更加重要。英特尔宣布，AWS 将成为首个使用英特尔代工服务(IFS)封装解决方案的客户。英特尔对行业的前沿封装路线图提出：
EMIB作为首个2.5D嵌入式桥接解决方案将继续推动行业发展，英特尔自2017年以来一直在出货EMIB产品。Sapphire Rapids 将成为采用EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)批量出货的首个英特尔®至强®数据中心产品。它也将是业界首个提供几乎与单片设计相同性能的，但整合了两个光罩尺寸的器件。继Sapphire Rapids之后，下一代 EMIB的凸点间距将从 55微米缩短至 45微米。
Foveros利用晶圆级封装能力，提供首个3D堆叠解决方案。Meteor Lake是在客户端产品中实现Foveros技术的第二代部署。该产品具有 36微米的凸点间距，不同晶片可基于多个制程节点，热设计功率范围为 5-125W。
Foveros Omni开创了下一代Foveros技术，通过高性能3D堆叠技术为裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵活性。Foveros Omni允许裸片分解，将基于不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片混合搭配，预计将于2023年用到量产的产品中。
Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变，它可以实现低电阻互连，并使得从晶圆制成到封装开始，两者之间的界限不再那么截然。Foveros Direct 实现了10微米以下的凸点间距，使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级，为功能性裸片分区提出了新的概念，这在以前是无法实现的。Foveros Direct 是对 Foveros Omni 的补充，预计也将于 2023年用到量产的产品中。
高精度地图生产制作过程，数据量呈现指数级增长，对数据存储和扩展提出了极高的技术要求。
吉利集团全资子公司亿咖通科技就采用了华为OceanStor海量存储，打破存储容量瓶颈，实现了按需采购，快速扩容。
华为OceanStor海量存储采用分布式架构，集群支持3～288节点弹性无缝扩展。集群内部各节点完全对称，数据和元数据均匀分布于各个节点上，能够根据业务增长进行平滑扩容，容量和性能支持线性扩展。
华为方面表示，华为OceanStor海量存储，不仅可以解决数据无法共享、本地扩容出现瓶颈等问题，还可以使业务系统的性能得到大幅提升、业务数据的安全性得到更为有效的保障。
