1.通过测量电阻确定结型场效应晶体管的电极。
根据场效应管PN结正负阻值不同的现象，可以识别结型场效应管的三个电极。方法:将万用表拨到R×1k档，选择两个电极，分别测量正负电阻值。当某两个电极的正负电阻值相等且为几千欧姆时，这两个电极分别为漏极D和源极S。因为结型FET的漏极和源极是可以互换的，所以剩下的电极一定是栅极g，你也可以任意用一个电极接触万用表的黑色探针(红色探针也可以)，另一个探针依次接触另外两个电极，测量它们的电阻值。当两次测得的电阻值大致相等时，黑色探针接触的电极为栅电极，另外两个电极分别为漏电极和源电极。如果两次测得的电阻值都很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，那么可以判断是N沟道FET，黑色探针接在栅极上；如果测两次电阻都很小，说明是正PN结，也就是正电阻。判断为P沟道FET，黑色探针也接在栅极上。如果没有出现上述情况，可以更换黑色和红色探针，按照上述方法进行测试，直到识别出网格为止。
2.通过测量电阻来确定FET的质量。
电阻测量方法是用万用表测量FET的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值是否与FET说明书上注明的电阻值一致，以此来判断FET的好坏。具体方法:首先将万用表设置在R× 10或者R× 100的位置，测量源极S和漏极D之间的电阻，通常在几十欧姆到几千欧姆的范围内(从说明书上可以看出，各种型号的灯管电阻值是不一样的)。如果测得的电阻值大于正常值，可能是内部接触不良；如果测得的电阻为无穷大，可能是内部断极。然后将万用表放在R× 10k位置，然后测量栅极G1与G2之间、栅极与源极之间、栅极与漏极之间的电阻值。当所有测得的电阻值都为无穷大时，该管正常。如果上述电阻值太小或有通路，则说明管子坏了。需要注意的是，如果两个栅极在管内断裂，可以采用元件更换法进行检测。
3.通过测量电阻来区分未标记的FET。
首先，通过测量电阻找到具有电阻值的两个管脚，即源极S和漏极D，剩下的两个管脚是第一栅极G1和第二栅极G2。记下两个探针测得的源极S和漏极D之间的电阻值，调整探针再测一次，记下测得的电阻值。电阻值大两倍时与黑探针连接的电极为漏极D；红色探针连接到源S..这种方法识别的S极和D极也可以通过估算其管的放大能力来验证，即放大能力大的黑色探针接在D极上；红色探针接地8极，两种方法测试结果应该是一样的。当漏极D和源极S的位置确定后，根据D和S的对应位置安装电路，一般G1和G2会依次对齐，这就决定了两个栅极G1和G2的位置，从而决定了D、S、G1和G2引脚的顺序。
4.通过测量反向电阻值的变化来确定跨导。
测量VMOSN沟道增强型FET的跨导性能时，可以用红色探针连接源极S，黑色探针连接漏极D，相当于在源极和漏极之间加一个反向电压。这个时候栅极是开着的，晶体管的反向电阻很不稳定。将万用表欧姆档选在r×10kω的高阻档，此时表内电压较高。用手触摸栅极G时，会发现管的反向电阻值变化明显。变化越大，电子管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小，用这种方法测量反向电阻变化不大。
5.用输入感应信号法估算场效应管的放大能力。
具体方法:用万用表电阻的R×100档，红色探针接源极S，黑色探针接漏极D，给FET施加1.5V的电源电压。此时，仪表指针指示的漏极和源极之间的电阻值。然后用手捏结型FET的栅极G，将人体的感应电压信号施加到栅极上。这样，由于电子管的放大，漏源电压VDS和漏电流IB都会发生变化，即漏源之间的电阻会发生变化，从而可以观察到指针大幅度摆动。如果手持栅表的摆幅小，则电子管的放大能力差；手的摆动幅度大，说明管的放大能力大；如果手不动，说明管子坏了。按照上述方法，我们用万用表的R×100档测量结FET 3DJ2F。首先打开灯管的G极，测量600ω的漏源电阻RDS。用手握住G极后，手向左摆动，指示电阻RDS为12kΩ。手的摆动幅度大，说明管好，放大能力大。
在使用这种方法时，需要说明几点:第一，在测试FET时，万用表指针可能向右摆动(电阻值减小)或向左摆动(电阻值增大)。这是由于人体感应的交流电压较高，用电阻测量时不同场效应晶体管的工作点可能不同(要么工作在饱和区，要么工作在非饱和区)。实验表明，大部分晶体管的RDS增大，即手向左摆动；少数管子的RDS减小，使指针向右摆动。但不管手的摆动方向如何，只要手的摆动幅度大，就说明管的放大能力大。
其次，这种方法也适用于MOSFET。但需要注意的是，MOS FET的输入电阻较高，栅极G允许的感应电压不能太高。因此，不要直接用手捏网格。必须用它握住螺丝刀的绝缘柄，用金属棒接触电网，防止人为感应电荷直接加到电网上，造成电网击穿。第三，每次测量后，G-S极应短路。这是因为G-S结的电容会带少量电荷，建立VGS电压，这样在再次测量时指针可能不会移动。仅通过放电G-S电极之间的短路电荷。