Spansion的首席执行官Bertrand告诉CNETNews.com，Spansion已经使用电荷俘获技术生产了闪存芯片。Spansion已经开始了一场营销活动，希望将一些技术授权给其他制造商

Bertrand表示，三星、东芝和海力士已经公开表示了对电荷俘获技术的极大兴趣。这项技术我们有一些基础专利，这不是一项容易开发的技术。我们已经开发它好几年了。

电荷俘获技术可以应用于NOR和NAND闪存芯片。虽然AMD早在2002年就开始使用电荷捕获技术生产芯片，但许多基础技术都来自以色列的赛芬。

如果Spansion能够在电荷陷阱技术方面取得成功，将会大大改善其财务状况。第三季度，Spansion的销售收入为6.11亿美元，亏损7200万美元。芯片制造商通常不愿意许可技术，尤其是来自竞争对手的技术。

NAND专利的价值很大，因为消费电子产品和手机的需求还在增长。虽然价格会有波动，但是NAND闪存的产量每年都在增加。其实现在很多厂商都在升级生产线，他们首先考虑的就是满足NAND需求。过去，许多制造商在新工厂生产DRAM或其他芯片。

一些NAND芯片制造商正试图将其产品制成笔记本电脑和刀片服务器，而不是硬盘。AppliedMaterials首席执行官迈克表示，NAND是一个非常成功的应用。

ObjectiveAnalysis总裁吉姆(Jim)表示，当存储单元缩小到一定程度时，传统的闪存就会遇到现实问题。当发展到45纳米或35纳米技术时，传统的闪存将达到极限。闪存芯片将不再能够使用相同的材料。

40nm闪存芯片将在未来1-2年内问世。其他一些非易失性存储器技术已经遇到了这个问题，比如MRAM，目前只能缩小到65 nm工艺。

Spansion面临的一个大问题是获得业界的认可。对于未来的存储技术，每个厂商都有自己的想法，但目前来看，哪种技术能胜出的前景还很不明朗。竞争技术包括东芝的3D存储芯片，Numonyx的相变存储芯片和格兰迪的STT-RAM。

Bertrand断言，与上面列出的技术相比，电荷俘获技术有两个重要的优势。第一，人们已经掌握了使用这种技术制造芯片的方法，这将降低部署这种技术的风险；其次，实验室测试表明电荷俘获技术芯片的尺寸可以继续缩小。

他说，我们已经在实验室做出了20 nm技术的芯片。如果芯片尺寸能够缩小，我们的产品将是最便宜的。芯片尺寸越小，性能越高，制造成本越低。

20纳米制程内存芯片要到2012年或更晚才会上市销售。

ertrand表示，与使用相同工艺的其他类型的存储器相比，电荷俘获存储单元的尺寸也更小，这将进一步降低成本。他说，电荷捕获将是未来10年的一项重要技术。