目前我国传感器产业规模小，应用范围窄。因此，我们迫切需要转变观念，将传感器的研发从单一物理传感器的研发转变为高集成度的新型传感器的研发。新型传感器的开发和应用已成为现代系统的核心和关键，并将成为21世纪信息产业新的经济增长点。有近6000个品种。

早在20世纪60年代，中国就开始涉足传感器制造业。1972年，中国建立了第一个压阻式传感器的研究和生产单位。1974年，我国第一台实用压阻式压力传感器研制成功。1978年，我国第一台固态压阻式加速度传感器诞生。1982年，我国率先开始了硅微机械系统(MEMS)加工技术和SOI(绝缘体上硅)技术的研究。

自20世纪90年代以来，硅微机械加工技术的绝对压力传感器、微型压力传感器、呼吸机压力传感器、多晶硅压力传感器和低成本TO-8封装压力传感器相继问世和生产。

改革开放30年来，我国传感器技术及其产业取得了长足进步，主要表现在建立了传感技术国家重点实验室、微/纳米国家重点实验室、国家传感技术工程中心等研发基地。MEMS、MOEMS(微机电系统)等研究项目被列为国家高技术发展重点；在“九五”国家科技攻关项目中，传感器技术研究取得了51个品种、86个规格的新产品，敏感元件和传感器产业初步建立；2007年，传感器行业总产量达到20.93亿件，品种规格近6000种，已应用于国民经济和国防建设的各个领域。

80年代末，我国将传感器列为国家高技术发展的重点。经过八五、九五、十五的攻关和产业化建设，目前中国已有2000多家企事业单位从事传感器的研究、生产和应用。由于受经济发展水平和生产R&D资金的限制，我国传感器产业的整体技术水平还比较落后，规模和应用领域都比较小。今天，德国、日本、美国和俄罗斯等老牌工业国的企业仍然活跃在国际市场上。在这些国家，传感器被广泛使用，许多制造商已经实现了大规模生产。有的企业年生产能力达到几千万甚至上亿。相比之下，中国传感器的应用范围较窄，更多的应用还停留在工业测控等基础应用领域。

几十年来，微电子技术推动了传感器技术的发展。未来10到20年，传统硅技术将进入成熟期(预计2014年到2017年)。从整体发展来看，传统的硅技术市场将持续到2047年(即晶体管发明100周年)才会趋于饱和(即达到芯片特征尺寸的极限)并出现下滑。目前微电子技术仍将遵循“等比原理”和“摩尔定律”两大基本定律。在接近传统硅技术的极限时，我们将继续扩展硅的跨学科横向应用(如MEMS)和更高级的应用(量子和分子器件)。微电子技术的上述两个发展方向是当前乃至未来20年传感器技术的主要发展方向。

目前，传感器行业呈现八大发展趋势，即传感器产业化发展模式，传感器产品全面、协调、可持续发展，企业生产规模(年生产能力)向规模经济发展，大型传感器生产技术向自动化发展，企业关键技术向消化吸收引进技术和自主创新转变，企业经营加速从国内市场向国内外市场相结合的国际化发展，企业发展向。