发明内容如下

 　　本申请案的一个实施例涉及一种像素阵列，所述像素阵列包括：SixGey层，其安置在第一半导体层上；多个像素，其安置在所述第一半导体层中，所述多个像素包含：(1)第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述SixGey层分离；以及(2)第二像素部分，其中所述第二像素部分中的每一者包含与所述SixGey层接触的第一掺杂区域；以及钉扎阱，其安置在所述多个像素中的个别像素之间，其中所述钉扎阱的第一部分延伸穿过所述第一半导体层，且所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。

  根据本发明的教示的可见光及红外线图像传感器像素阵列的实例的截面图。

 　　本申请案的另一实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括：第二半导体层，其安置在第一半导体层的背侧上；一或多个像素群组，其安置在所述第一半导体层的前侧中，所述一或多个像素群组包含：第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；钉扎阱，其分离所述像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。

 　　本申请案的又另一实施例涉及一种图像传感器制造方法，所述方法包括：在第一半导体层的背侧上形成第二半导体层；形成安置在所述第一半导体层的前侧中的一或多个像素群组，所述一或多个像素群组包含：第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。