2016年，在三星电子、SK海力士、英特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3D NAND Flash的时候，国内存储器厂商才开始布局，错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作，投资建立“国产存储器基地”，建设3座全球单座洁净面积大的3D NAND Flash FAB厂房以供3D NAND Flash研发与生产。在这场全球3D NAND Flash市场之战中，紫光国际首先“举旗”，长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后，互相配合共同研发3D NAND Flash技术。

　　2017年11月中旬，长江存储已经成功研发出32层3D NAND Flash芯片，预计将于2018年实现量产。目前，紫光国际与长江存储已经在研究64层3D NAND Flash技术，预计将于2019年实现量产。

　　机遇与挑战并存

　　当然，弯道超车依旧困难重重。从国内存储器厂商的发展情况来看，主要面临的机遇有以下四点：

　　其一，全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势；

　　其二，智能手机、人工智能以及物联网等科技的不断发展，导致存储器芯片的需求也随之增加；

　　其三，全球存储器技术突破的趋势减缓，各项技术的不断成熟；

　　其四，国家政策的不断出台，政企联合之势扩大。

　　在机遇存在的同时，国内存储器厂商所面临的挑战也不可谓不小，主要体现在以下三方面：

　　其一，国内存储器技术人才匮乏，导致技术研发速度过慢；

　　其二，原材料价格的不断上涨，导致投入过高；

　　其三，存储器增长过快，产能过剩的风险随时将至。