如果说2D闪存是建平房，3D NAND存储就是盖楼房，现在国际主流产品已经“盖”到48层，未来有可能到96层、128层，存储容量大幅提升。存储器是信息系统的基础核心芯片，能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额大的集成电路产品。
资料显示，存储器芯片市场是全球垄断为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。
紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国表示：“集成电路是信息技术产业的核心，保障着国家信息安全，其中存储器约占集成电路产业的25%。这个项目对中国科技事业的意义，不亚于‘辽宁号’航空母舰出海试航。”
据了解，基地由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，主要研发生产以3D NAND技术为核心的存储器芯片。该基地占地1968亩，分为三期建设，项目一期计划2018年建成投产，月产晶圆硅片10万片，相当于8.5亿颗芯片。2020年完成整个项目后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。
未来几年，在武汉光谷东这片高科技公司云集的土地上，将建起3座全球单体洁净面积大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼及其他配套设施。其核心生产厂房和设备，每平方米投资强度超过3万美元。这是新中国成立以来湖北省大单体投资高科技产业项目，也是我国集成电路产业有史以来大单体投资项目。