国内超声波在表计行业的发展最开始受政策驱动，大量企业涌入市场，高速发展超声波热量表，但经过一段时间，热量表需求量较低，部分热量表厂家进行产品转型，进入超声波水表领域，加上不断有新“玩家”进入，超声波水表市场逐渐扩大。
真空蒸发是在真空室内将待蒸发（源）材料置于加热器中加热，使其分子或原子获得足够的热能离开源材料，形成蒸汽状，淀积到基底上，而形成薄膜。
超声波水表是通过检测超声波声束在水中顺流逆流传播时因速度发生变化而产生的时差，分析处理得出水的流速从而进一步计算出水的流量的一种水表。
他们发现，桥梁坍塌码头旁边的甲板早在2015年就出现了微妙的变化迹象; 他们还指出，在2017年3月至2018年8月期间，桥梁的几个部分显示出结构变化的显着增加，隐藏的迹象表明至少部分桥梁可能在结构上变得不健全。
相较传统水表，超声波水表内部无活动部件无阻流元件，不受水中杂质的影响，测量精度高，使用寿命长，能解决众多传统水表的问题。输出通讯功能齐全，可以满足各类通讯和无线组网要求，更适合水费梯度收费和水资源的节约。
该技术仅限于具有一致的合成孔径雷达卫星覆盖范围的区域。2022年初，NASA和印度空间研究组织（ISRO）计划发射 NASA-ISRO合成孔径雷达（NISAR），这将大大扩展其覆盖范围。NISAR旨在使科学家能够观察和测量全球环境变化和危害，将收集图像，使工程师和科学家能够在每周几乎在世界任何地方调查像桥梁这样的结构的稳定性。
除了能够监测水流状况，超声波水表还可以监控设备自身的状况，当设备开始老化或者发生意外时，设备会通过物联网向水务公司发出提醒，方便工作人员及时进行处理。
“这是关于开发一种新技术，可以帮助表征桥梁和其他基础设施的健康状况，我们无法预测这种特殊的倒塌，因为当时可用的标准评估技术无法检测到我们现在能看到的东西。但是，展望未来，这种技术与已经使用的技术相结合，有可能带来很多好处。“研究人员表明。
近年来，在“一户一表”、“三供一业”、定期强检轮换、“阶梯水价”收费等政策推动下，以及下游供水企业降低管网漏损率水平、提高供水运营效益、加强智慧水务建设等长短期需求因素的驱动下，超声波水表逐步被应用到供水计量中。
在一定的基底上，用真空蒸发、溅射、化学气相淀积（CVD）、等离子CVD、外延、电镀等工艺技术，制成金属、合金、半导体、化合物半导体等材料的薄膜，薄膜厚度约为零点几微米至几微米，这种加工技术称为薄膜技术。薄膜技术可制作力敏、光敏、磁敏、气敏、湿敏、放射线敏、热敏、化学敏、生物敏等薄膜敏感元件。它们的成品率高、参数一致性好、性能优良、成本低廉。
今年以来，新疆石河子下野地片区团场水网改造工程被纳入天富集团老旧小区改造项目。水网改造在如期施工的同时，4.8万块超声波水表在经过专业计量单位统一检测、校验后，从7月9日开始，分批次安装到下野地片区121团、133团等团场。
化学气相淀积是使含有待淀积物质的化合物升华成气体，与另一种气体化合物（也可含有待淀积物）在反应室内加热进行化学反应，生成固态淀积物，淀积在基底上而生成薄膜。等离子CVD是用直流或射频高电压，使反应室内通人的一定量气体（如氧气等）产生辉光放电，使室内反应气体（包括含有待淀积物质的气体）被电离而形成等离子区，为化学反应提高活化能。辉光放电所产生的高温，使反应气体化学反应生成淀积物，淀积在基底上生成薄膜。等离子CVD法薄膜生成速率高于CVD法，薄膜的特性取决于反应气体的流量、辉光放电状态、电压功率和基底温度等因素。利用等离子CVD工艺制作的多晶薄膜气敏元件，如Sn02和α- Fe2O3等具有灵敏度高、选择性好（α- Fe2O3可测乙醇）、稳定性高、响应时间短等特点。等离子CVD技术发展很快，是一种很有前途的加工技术。
新安装的超声波水表支持预付费功能，不仅实现了远程充值，还能按照剩余量自主控制阀门开关。待水表信息统一对接、更新完毕后，水流数据通过水表中的无线传输设备，远程传输到终端。而终端的数据中心不仅可以实时采集水表数据，并可根据大数据对用水量等进行统计分析，还能用于漏损检测。
近年来发展的超微粒子薄膜技术常用的是等离子蒸发工艺。它是将某种化合物（或金属）在氧气或其他气体的等离子中蒸发，形成氧化物或其他化合物，凝聚在基底上而生成超微粒子薄膜。超微粒子薄膜具有许多独特的物理、化学性能，例如Sn02超微粒子薄膜对气体和湿度十分敏感，具有灵敏度高、选择性好、工作温度低（100〜150℃）、与Si集成电路相容等特点，能制成多功能（温-湿-气）传感器，并向微型化和集成化方向发展。
然而，由于超声波流体测量技术近年来才应用于户用水表，因此在智能水表市场中，目前仍以智能机械水表为主，超声波水表占比相对较低。相对于整体水表市场，超声波水表的市场渗透率仍很低，不足1%，但随着超声水表的市场接受度越来越高，预计未来超声水表的市场容量及市场渗透率有望显著提升。
溅射是在低真空室中用高电压（高于1000V直流或交流）使气体电离形成等离子体，等离子体的正离子以高能量轰击由待溅射物质制成的阴极靶面，使其原子离开靶面淀积到阳极工作台的基片上而形成薄膜。这种方法形成的薄膜比真空蒸发的牢固，并能制出高熔点的金属（合金）膜和化合物膜，其化学成分基本不变，但工艺设备较复杂，成膜速度较慢。其中直流溅射用来制备金属（合金）薄膜和半导体薄膜，交流溅射则用来制造介质薄膜和金属薄膜。
